用于半导体制造之光刻工艺，是芯片制造的关键材料。ArF（193nm）浸没式可延伸至 45–7nm 节点；KrF（248nm）為化學放大型；G/I 线广泛用于分立器件、LED、集成电路与先进封裝。2025 财年中国半导体光刻胶销售额本土第一。
